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於鍺基板上以原子層化學氣相沉積鍍製氧化鑭-氧化鋁-氧化鈦多疊層閘極介電層之研究

為了解決aes xps比較的問題，作者陳芷喬 這樣論述：

高速通道材料Ge由於其原生氧化物的不穩定，使得Ge/high-κ之界面性質無法與Si相比擬，因此本實驗鍍製了多種組合之薄膜疊層，試圖找出最適合的介電層材料，進行電性及材料物性之分析。實驗利用原子層化學氣相沉積法（Atomic layer chemical deposition, ALCVD）沉積四種不同的high-κ疊層：Ge/Al2O3/TiO2、Ge/La2O3/Al2O3/TiO2、Ge/Al2O3/La2O3/TiO2、Ge/La2O3/TiO2於n- type Ge基板與p- type Ge基板上，並利用射頻濺鍍鍍製Pt上、下電極後，進行Post metal annealing（P

MA）之forming gas熱處理，製備成MOS電容；再藉由材料分析IPXRD、XPS、AES，探討此四種不同薄膜結構之材料差異對電性所造成的影響。實驗結果顯示，Ge/La2O3/Al2O3/TiO2堆疊之薄膜，由於有LaGeOx鍵結的生成，能抑制具揮發性的GeO產生，Dit可降至8.17 × 1011 cm-2，相較於其他種類之薄膜，電性表現最佳。